三星K4T51163QG-HCF7 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-09-21随着科技的飞速发展，电子设备对内存的需求越来越大，DDR储存芯片作为一种重要的电子元器件，其性能和应用领域也在不断拓展。三星K4T51163QG-HCF7 BGA封装DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片，在众多领域得到了广泛应用。本文将介绍三星K4T51163QG-HCF7 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4T51163QG-HCF7 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术，具有以下特点： 1. 高集成度：BGA封装技术将多个内存芯片集成在一个封装
前三星高管坐镇，Rokid首颗AI芯片让成本降低30%？
2024-09-21集微网消息（文/小北）据外媒technode报道，我国AI初创企业Rokid将于6月26日在杭州举办的成立4年以来的首次发布会Rokid Jungle上发布自研智能语音芯片。 据官方介绍，该芯片历经两年的研发，性能高、成本低，其价格可能比同类产品便宜30%，而且该芯片能为第三方供应商、OEM和小设备制造商提供更好的设计。 据悉，前三星半导体的中国地区主管周军于今年四月跳槽到Rokid担任副总。他曾表示，鉴于智能音箱的技术需求，没有搭载神经网络处理单元与数字信号处理器的通用型芯片在算力上很难胜任
三星连续三季度位居半导体市场龙头 领先优势仍扩大
2024-09-21据韩国BusinessKorea北京时间6月9日报道，今年，三星电子继续维持在全球半导体市场的龙头地位。随着英特尔(55.05, -0.83, -1.49%)的增长放缓，以及内存芯片市场的蓬勃发展，三星电子极可能连续第二年称霸半导体行业。 根据市场研究公司IHS Markit的最新数据，自去年第三季度以来，三星已经连续三个季度排名芯片行业首位。 第一季度，三星在半导体行业的销售额为186.07亿美元，同比增长45.4%，环比增长1.6%，市场份额为16.1%。 这让三星电子进一步扩大了对英特尔
标题：三星CL31B226MPHNNNE贴片陶瓷电容CAP CER 22UF 10V X7R 1206的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展，贴片陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL31B226MPHNNNE是一款典型的贴片陶瓷电容，其规格参数和性能特点在电路设计中具有重要应用价值。本文将围绕三星CL31B226MPHNNNE陶瓷电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL31B226MPHNNNE贴片陶瓷电容采用先进的陶瓷材料和精密制造工艺，具有高介电常数、低
三星K4T51163QG-HCE7 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-09-20随着科技的飞速发展，电子产品越来越普及，对内存芯片的需求也越来越大。三星K4T51163QG-HCE7 BGA封装DDR储存芯片，作为一款高性能的内存芯片，其在技术与应用上的优势，不容忽视。 首先，从技术角度来看，三星K4T51163QG-HCE7 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。这种技术通过将芯片焊接在PCB上，实现了更高的集成度，更小的体积，更强的性能。同时，BGA芯片的内部引脚暴露在外部，减少了焊接不良的风险，提高了成品率。 其次，该芯片采用了DDR3内存技术，这是目
三星K4T51163QG-HCE6 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-09-20随着科技的飞速发展，电子设备对内存的需求越来越大，DDR储存芯片作为一种重要的电子元器件，其性能和封装技术直接影响着电子设备的性能和稳定性。本文将介绍三星K4T51163QG-HCE6 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4T51163QG-HCE6是一款采用BGA封装的DDR储存芯片。BGA是Ball Grid Array的简称，是一种先进的封装技术，具有高密度、高可靠性、低成本等优点。该芯片采用0.15μm工艺制程，具有高速、低功耗、低时序等特性。此外，该芯片还
标题：三星CL31B106KPHVPNE贴片陶瓷电容CAP CER 10UF 10V X7R 1206的技术与应用介绍 随着电子技术的快速发展，贴片陶瓷电容在各类电子产品中得到了广泛应用。三星CL31B106KPHVPNE是一种典型的贴片陶瓷电容，其规格参数为10UF，工作电压为10V，介质为X7R，外形尺寸为1206。本文将围绕这些关键词，对三星CL31B106KPHVPNE贴片陶瓷电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL31B106KPHVPNE贴片陶瓷电容采用了先进的陶瓷材
三星K4T51163QC-ZCD5 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-09-19随着科技的飞速发展，电子设备对内存的需求越来越大，DDR储存芯片在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星K4T51163QC-ZCD5 BGA封装DDR储存芯片以其独特的技术和方案应用，在市场上占据了重要地位。 首先，我们来了解一下三星K4T51163QC-ZCD5 BGA封装DDR储存芯片的基本技术。该芯片采用BGA封装技术，具有高密度、高速度、高可靠性的特点。这种封装技术通过使用球栅阵列陶瓷封装，将芯片与外部电路紧密相连，大大提高了芯片的可靠性和稳定性。同时，BGA封装还可以提供更小的
三星K4T51083QN-BCE7000 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-09-19随着科技的飞速发展，电子设备对内存的需求越来越大，三星K4T51083QN-BCE7000 BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的内存器件，在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将围绕该芯片的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星K4T51083QN-BCE7000 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。BGA是Ball Grid Array Package的简称，是一种先进的封装形式，具有高密度、高速度、高可靠性的特点。该芯片通过高精度的半导体工艺，将内存颗粒集成在一
智原：预计下半年三星10纳米区块链NRE量产
2024-09-19集微网消息，ASIC设计服务暨IP厂商智原第二季度业绩将有小幅增长。业界预期，该公司本季毛利率可能维持与首季相当，第3季度业绩将更为增温。在Q1接下三星两件10纳米制程区块链相关应用的NRE案件预计最快将在下半年量产，届时可为智原带来业绩增长。 在委托设计（NRE）与量产业务双重发威下，智原下半年营运表现可望优于上半年。 智原第二季度业绩估计将季增个位数百分比，智原累计前五个月合并营收为17.27亿元新台币，年减近三成。不过业界预计智原今年整体营运有机会先蹲后跳，下半年表现有可能急起直追。NR