标题：IXYS艾赛斯IXGH10N100AU1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的发展，功率半导体器件在各种设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGH10N100AU1功率半导体IGBT，以其出色的性能和稳定性，在许多应用中发挥着关键作用。本文将详细介绍IXGH10N100AU1的技术特点和方案应用。 首先，IXGH10N100AU1是一款具有高耐压、大电流、低损耗等特点的IGBT。其工作电压为1000V，最大电流为20A，最大功率为100W。其封装为TO247AD，
标题：IXYS艾赛斯IXGH32N60AU1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXGH32N60AU1功率半导体IGBT是一款具有出色性能的60A，600V IGBT模块，具有200W的输出功率，适用于各种工业和电源应用。 首先，让我们来了解一下IXGH32N60AU1 IGBT的基本技术。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种复合型功率半导体器件，它结合了晶体管和双极型功率器件的优点，具有较快的开关速度和较低的导通电压。这种器