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IXYS 相关话题

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标题:IXYS艾赛斯IXYX110N120C4功率半导体IGBT在GEN4 XPT PLUS247中的应用和技术方案介绍 随着科技的飞速发展,电子设备对功率半导体的需求日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYX110N120C4功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,在GEN4 XPT PLUS247设备中发挥着关键作用。 IXYS艾赛斯IXYX110N120C4功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流特性的产品,适用于各种高压和大功率应用场景。其工作电压高达1200V,工作电流可达110A
一、技术概述 IXYS的IXXX200N65B4半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,其特点是650V的电压规格和370A的电流容量。该器件采用了IXYS独特的PLUS247技术,具有高效率、低噪音、低发热量等优点,适用于各种工业应用领域。 二、方案应用 1. 电源转换:IXXX200N65B4可以用于电源转换电路中,如逆变器、充电器等,实现高效电能转换。 2. 电机控制:该器件也可用于电机控制电路,如变频器、伺服电机等,实现精确控制和节能。 3. 工业加热:由于其高效率特性,IXXX2
标题:IXYS艾赛斯IXYX110N120B4功率半导体IGBT在GEN4 XPT PLUS247中的应用与技术方案介绍 随着科技的飞速发展,电子设备对高效、节能、环保的要求越来越高。在这一背景下,功率半导体器件如IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYX110N120B4功率半导体IGBT,以其出色的性能和稳定性,在GEN4 XPT PLUS247设备中发挥着关键作用。 IXYS艾赛斯IXYX110N120B4功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流特性的
一、技术特点 IXYS品牌的IXXX160N65B4半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,具有以下技术特点: 1. 650V 650V的耐压等级,能够承受较大的电压和电流。 2. 310A的额定电流,能够满足大部分的功率应用需求。 3. 940W的功率输出,适用于各种大功率应用场景。 4. 采用先进的封装技术,具有较高的热稳定性和可靠性。 二、方案应用 该器件适用于各种大功率电源、电机驱动、变频器等应用场景。以下是一些常见的方案应用: 1. 电源模块:可将交流电源转换为直流电源,适用于各
标题:IXYS艾赛斯IXBH10N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXBH10N170是一款高性能的功率半导体IGBT,其技术参数包括1700V的电压,20A的电流以及140W的功率输出。这款IGBT广泛应用于各种需要大功率转换和传输的电子设备中,如逆变器、电源系统、电动汽车、风力发电等。 二、技术特点 IXBH10N170 IGBT采用了IXYS艾赛斯独特的工艺技术,具有高效率、低损耗和高可靠性等特点。其内部结构优化,使得在电力转换过程中,热损耗和电子损失大大
IXYS的IXYH82N120C3是一款1200V、200A、1250W的IGBT,采用TO247AD封装,适用于各种高效率的电源和电机驱动系统。 技术特点: * 这款IGBT采用了先进的工艺技术,具有高输入阻抗、低导通压降、高开关速度等特点,使其在高温、高功率、高频等恶劣环境下仍能保持良好的性能。 * 其通态电压可调性好,适用于各种不同应用场景,如UPS、EPS、太阳能逆变器、机车牵引逆变器等。 * 封装采用小型化TO247AD,具有优良的热导率和热容量,提高了系统的可靠性和使用寿命。 应用
标题:IXYS艾赛斯IXYH55N120C4H1功率半导体器件在XPT GEN4 C4 CO-PACK技术中的应用和方案介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在各个领域的应用越来越广泛。在这个背景下,高性能、高可靠性的功率半导体器件成为了关注的焦点。IXYS艾赛斯公司的IXYH55N120C4H1功率半导体器件,以其1200V、55A的强大性能,成为了XPT GEN4 C4 CO-PACK技术中的关键一环。 IXYS IXYH55N120C4H1功率半导体器件是一款高性能的N沟道场效应晶体管,
IXYS的IXYH24N170C是一款高品质的1.7KV IGBT,其最大电流为58A,封装为TO247-3。这款半导体器件具有高效、高耐压、低导通电阻等特点,适用于各种电子设备中。 首先,这款IGBT采用了先进的生产工艺,具有优异的电气性能和可靠性。在应用中,它可以实现高效地转换和控制电能,是变频器、伺服电机、UPS电源等设备的理想选择。 方案介绍: 针对这款器件,我们提供了一系列应用方案。首先,对于需要大功率、高效率的变频器系统,我们推荐采用多路输出模块,以实现更高效地控制和保护。对于伺服
标题:IXYS艾赛斯IXYH55N120B4H1功率半导体器件在XPT GEN4 B4 CO-PACK技术中的应用和方案介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH55N120B4H1功率半导体器件,以其出色的性能和可靠性,成为了XPT GEN4 B4 CO-PACK技术中的关键组成部分。 IXYS IXYH55N120B4H1是一款具有出色性能的1200V,55A功率半导体器件。其工作电压和电流均达到了行业领先水平,能够满足各种高功率、高效
标题:IXYS品牌IXYH50N120C3D1半导体IGBT 1200V 90A 625W TO247的技术和方案介绍 一、技术特点 IXYS品牌的IXYH50N120C3D1是一款高性能的半导体IGBT,其工作电压高达1200V,电流容量为90A,最大功率为625W。该器件采用了TO247封装形式,具有体积小、重量轻、散热性能好等特点。 二、技术参数 该器件的主要技术参数包括:额定电压为1200V,额定电流为90A,最大漏极功率为625W,工作温度范围为-40℃至+150℃。此外,该器件还具